ФЛЭШ-ПАМЯТЬ
Флэш-память (flash-memory) по типу запоминающих элементов и основным принципам работы подобна памяти типа EEPROM (ППЗУ) с электрическим перепрограммированием. Однако ряд архитектурных и структурных особенностей позволяют выделить ее в отдельный класс. Разработка флэш-памяти считается кульминацией развития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации, и стала возможной только после создания технологий сверхтонких пленок. Время электрического перепрограммирования флэш-памяти в отличие от существующих ППЗУ очень мало и составляет сотни наносекунд. Это позволяет использовать их в качестве оперативных внешних запоминающих устройств типа жесткого диска. Однако число циклов перезаписи флэш-памяти ограничено.
В схемах флэш-памяти не предусмотрено стирание отдельных слов, стирание информации осуществляется либо для всей памяти одновременно, либо для достаточно больших блоков. Это позволяет упростить схемы ЗУ, т. е. способствует достижению высокого уровня интеграции и быстродействия при снижении стоимости. Технологически схемы флэш-памяти выполняются с высоким качеством и обладают очень хорошими параметрами.
Термин flash, по одной из версий, связан с характерной особенностью этого вида памяти – возможностью одновременного стирания всего ее объема. Согласно этой версии еще до появления флэш-памяти при хранении секретных данных использовались устройства, которые при попытках несанкционированного доступа к ним автоматически стирали хранимую информацию и назывались устройствами типа flash (вспышка, мгновение). Это название перешло и к памяти, обладавшей свойством быстрого стирания всего массива данных одним сигналом.
Одновременное стирание всей информации ЗУ реализуется наиболее просто, но имеет тот недостаток, что даже замена одного слова в ЗУ требует стирания и новой записи для всего ЗУ в целом. Для многих применений это неудобно, поэтому наряду со схемами с одновременным стиранием всего содержимого имеются схемы с блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые независимо друг от друга.
Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до 128 Кбайт.
Число циклов перепрограммирования для флэш-памяти хотя и велико, но ограничено, т.е. ячейки при перезаписи "изнашиваются". Для того, чтобы увеличить долговечность памяти, в ее работе используются специальные алгоритмы, способствующие "разравниванию" числа перезаписей по всем блокам микросхемы.
Соответственно областям применения флэш-память имеет архитектурные и схемотехнические разновидности. Двумя основными направлениями эффективного использования флэш-памяти являются хранение не очень часто изменяемых данных (обновляемых программ, в частности) и замена памяти на магнитных дисках.
Для первого направления, в связи с редким обновлением содержимого, параметры циклов стирания и записи не столь существенны, как информационная емкость и скорость считывания информации. Стирание в этих схемах может быть как одновременным для всей памяти, так и блочным. Среди устройств с блочным стиранием выделяют схемы со специализированными блоками – несимметричные блочные структуры – по имени так называемых boot-блоков, в которых информация надежно защищена аппаратными средствами от случайного стирания. Эти ЗУ называют boot block flash memory. Boot-блоки хранят программы инициализации системы, позволяющие ввести ее в рабочее состояние после включения питания.
Микросхемы для замены жестких магнитных дисков (flash-file memory) содержат более развитые средства перезаписи информации и имеют идентичные блоки (симметричные блочные структуры). Накопители подобного типа широко используются фирмой Intel. Имеются мнения о конкурентоспособности этих накопителей в применениях, связанных с заменой жестких магнитных дисков для ЭВМ различных типов.
В заключение следует отметить, что в настоящем разделе рассмотрены только основные типы ЗУ и ЗЭ, которые далеко не исчерпывают все разнообразие современной элементной базы устройств памяти ЭВМ.
