Организация ЭВМ и систем. Однопроцессорные ЭВМ. Часть 2

       

ЗУ ТИПА


Организация ЗУ типа 2D обеспечивает двухкоординатную выборку каждого ЗЭ ячейки памяти. Основу ЗУ составляет плоская матрица из ЗЭ, сгруппированных в 2k ячеек по n разрядов. Обращение к ячейке задается k-разрядным адресом, что дает одну координату. Выделение разрядов производится разрядными линиями записи и считывания, что дает вторую координату. Очень упрощенная структура ЗУ типа 2D представлена на рис. 4.6.

Адрес из k разрядов поступает на блок адресной выборки БАВ (который называют также адресным формирователем), управляемый сигналами Чт и Зап. Основу БАВ составляет дешифратор с 2k выходами, который при поступлении на его вход адреса формирует сигнал для выбора линии i. В зависимости от сигнала Чт или Зап БАВ в общем случае выдает сигнал, настраивающий ЗЭ i-й ячейки (i-й линии) на чтение либо на запись. Выделение разряда j в i-м слове (ЗУ серого цвета) производится второй координатной линией. При записи по линии j от БУЗ поступает сигнал, устанавливающий выбранный для записи ЗЭi,j в состояние 0 или 1. При считывании на БУС по линии j поступает сигнал о состоянии ЗЭi,j.

Следует иметь в виду, что ЗЭ должны допускать объединение выходов для работы на общую линию с передачей сигналов только от выбранного ЗЭ. Это свойство ЗЭ используется во всех современных ЗУ.

Таким образом, каждая адресная линия выборки ячейки памяти в общем случае передает три сигнала:



- выборка при записи;

-       выборка при считывании;

-       отсутствие выборки.

Однако во многих современных ЗУ достаточно только двух сигналов – выборка и отсутствие выборки.

Каждая разрядная линия записи передает в ЗЭ записываемый бит информации, а разрядная линия считывания – считываемый из ЗЭ бит информации. Линии записи и считывания могут быть объединены в одну при использовании ЗЭ, допускающих соединение выхода со входом записи. В современных ЗУ широко используются совмещенные функции линий считывания и записи.

ЗУ типа 2D являются быстродействующими и достаточно удобными для реализации. Однако такие ЗУ неэкономичны по объему оборудования из-за наличия дешифратора на 2k выходов. В настоящее время структуры типа 2D используются, в основном, в ЗУ небольшой емкости (не более 1 К).


Адресные формирователи здесь могут быть общими для всех разрядных ЗМ.

Запоминающие устройства типа 3D более экономичны по оборудованию, чем ЗУ типа 2D. Действительно, сложность адресного формирователя с m входами пропорциональна 2m, отсюда сложность двух адресных формирователей ЗУ типа 3D, пропорциональная
, значительно меньше сложности адресного формирователя ЗУ типа 2D, пропорциональной 2k. Поэтому структура типа 3D позволяет строить ЗУ большего объема, чем структура 2D.

Структура типа 3D является наиболее удобной для построения статических ЗУ на многоэмиттерных биполярных транзисторах.


Содержание раздела